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【干货】多线切割工艺对研磨去除量的影响

  • 产品时间:2022-08-24 15:59
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简要描述:在晶体加工过程中,随着硅单晶尺寸的减小,多线切割技术于是以被普遍应用于晶体切割成工序。线切割会明显改善翘曲,但是切割成时硅的损耗明显增大,同时受损深度增大。 这更进一步对系统到先前工艺,增大了颗粒产生、瓦解受损引发的晶格构成、硅片裂痕等可能性[5]。硅切片的受损层深度必要不受晶体切割成工艺影响,并影响着先前的晶片研磨工序的除去量。此外,切片的几何参数[如弯曲度(TTV)、翘曲度(Warp)和平整度(Bow)]也间接影响着研磨工序的除去量。...

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本文摘要:在晶体加工过程中,随着硅单晶尺寸的减小,多线切割技术于是以被普遍应用于晶体切割成工序。线切割会明显改善翘曲,但是切割成时硅的损耗明显增大,同时受损深度增大。 这更进一步对系统到先前工艺,增大了颗粒产生、瓦解受损引发的晶格构成、硅片裂痕等可能性[5]。硅切片的受损层深度必要不受晶体切割成工艺影响,并影响着先前的晶片研磨工序的除去量。此外,切片的几何参数[如弯曲度(TTV)、翘曲度(Warp)和平整度(Bow)]也间接影响着研磨工序的除去量。

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在晶体加工过程中,随着硅单晶尺寸的减小,多线切割技术于是以被普遍应用于晶体切割成工序。线切割会明显改善翘曲,但是切割成时硅的损耗明显增大,同时受损深度增大。

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这更进一步对系统到先前工艺,增大了颗粒产生、瓦解受损引发的晶格构成、硅片裂痕等可能性[5]。硅切片的受损层深度必要不受晶体切割成工艺影响,并影响着先前的晶片研磨工序的除去量。此外,切片的几何参数[如弯曲度(TTV)、翘曲度(Warp)和平整度(Bow)]也间接影响着研磨工序的除去量。

因此,本文从减少切片受损层深度、掌控切片几何参数精度两方面临多线切割工艺展开研究。  1、试验  1.1样品  直径:151mm0.2mm;长度:260mm10mm;导电类型:P型;电阻率:8~13cm。  1.2工艺流程  经断头尾、单晶滚圆工序后,获得合乎多线切割机加工拒绝的硅单晶,经定向粘接、多线切割、脱胶、清除等工艺过程取得厚度为780m20m的硅切割片,对硅切割片的参数展开测试,通过倒角、磨片等工序展开检验。  1.。


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